• TMR開關磁傳感器

    TMR開關傳感器利用隧道磁電阻技術,高靈敏度,低開關點,超低功耗,優良的ESD防護性能,極小的封裝尺寸。

  • TMR線性磁傳感器

    TMR線性磁阻傳感器采用隧道磁電阻(TMR)技術,超高靈敏度,超低功耗,低磁滯及大動態范圍,高速磁場檢測和高頻率響應,優良的ESD防護性能.

  • TMR角度磁傳感器

    TMR角度磁阻傳感器采用隧道磁電阻(TMR)技術,雙軸360°全范圍角度測量,高靈敏度,大信號輸出(900~1000mV/V),極低的磁滯,超低功耗.

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性能優勢

磁傳感器廣泛用于現代工業和電子產品中,以感應磁場強度及其分布來測量電流,位置,方向等物理參數,在現有技術中,有許多同類型的傳感器用于測量磁場和其他參數中,例如采用霍爾(Hall)元件,各向異性磁電阻  (Anisotropic Magnetoresistance, AMR)元件,巨磁電阻(Giant Magnetoresistance, GMR)元件為敏感元件的磁傳感器。
TMR(Tunnel MagnetoResistance)元件是近年來開始工業應用的新型磁電阻效應傳感器,其利用磁性多層膜材料的隧道磁電阻效應對磁場進行感應,我們通常也用磁隧道結(Magnetic Tunnel Junction, MTJ)來代指TMR元件。磁傳感器技術發展歷程相比于其他磁性傳感元件,TMR元件具備優異的溫度穩定性,極高的靈敏度,微功耗,高分辨率,較大的勱態范圍等特點。
相比霍爾元件,具有更好的溫度穩定性,更高的靈敏度,更低的功耗,更好的線性度;相比于AMR元件,具有更好的溫度穩定性,更高的靈敏度,更寬的線性范圍,更低的功耗,不需要額外的Set/Reset線圈結構;相比于GMR元件,具有更好的溫度穩定性,更高的
靈敏度更低的功耗,更寬的線性范圍。



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